IPD50R800CEATMA1
MOSFET N CH 500V 5A TO252
Artikelnummer
IPD50R800CEATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
CoolMOS™ CE
Sektionsstatus
Last Time Buy
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
PG-TO252-3
Effektförlust (max)
60W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
800 mOhm @ 1.5A, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 130µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
12.4nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
280pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
13V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 35044 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPD50R800CEATMA1
IPD50R800CEATMA1 Elektroniska komponenter
IPD50R800CEATMA1 Försäljning
IPD50R800CEATMA1 Leverantör
IPD50R800CEATMA1 Distributör
IPD50R800CEATMA1 Datatabell
IPD50R800CEATMA1 Foton
IPD50R800CEATMA1 Pris
IPD50R800CEATMA1 Erbjudande
IPD50R800CEATMA1 Lägsta pris
IPD50R800CEATMA1 Sök
IPD50R800CEATMA1 Köp av
IPD50R800CEATMA1 Chip