IPD60N10S412ATMA1
MOSFET N-CH TO252-3
Artikelnummer
IPD60N10S412ATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
PG-TO252-3-313
Effektförlust (max)
94W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
12.2 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 46µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
34nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2470pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 45947 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPD60N10S412ATMA1
IPD60N10S412ATMA1 Elektroniska komponenter
IPD60N10S412ATMA1 Försäljning
IPD60N10S412ATMA1 Leverantör
IPD60N10S412ATMA1 Distributör
IPD60N10S412ATMA1 Datatabell
IPD60N10S412ATMA1 Foton
IPD60N10S412ATMA1 Pris
IPD60N10S412ATMA1 Erbjudande
IPD60N10S412ATMA1 Lägsta pris
IPD60N10S412ATMA1 Sök
IPD60N10S412ATMA1 Köp av
IPD60N10S412ATMA1 Chip