IPD60R1K5CEATMA1
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
Artikelnummer
IPD60R1K5CEATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
CoolMOS™ CE
Sektionsstatus
Discontinued at Digi-Key
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
TO-252-3
Effektförlust (max)
28W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.5 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 90µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
9.4nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
200pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 8311 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPD60R1K5CEATMA1
IPD60R1K5CEATMA1 Elektroniska komponenter
IPD60R1K5CEATMA1 Försäljning
IPD60R1K5CEATMA1 Leverantör
IPD60R1K5CEATMA1 Distributör
IPD60R1K5CEATMA1 Datatabell
IPD60R1K5CEATMA1 Foton
IPD60R1K5CEATMA1 Pris
IPD60R1K5CEATMA1 Erbjudande
IPD60R1K5CEATMA1 Lägsta pris
IPD60R1K5CEATMA1 Sök
IPD60R1K5CEATMA1 Köp av
IPD60R1K5CEATMA1 Chip