IPD60R385CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 9A TO-252
Artikelnummer
IPD60R385CPATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
CoolMOS™ CP
Sektionsstatus
Not For New Designs
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
PG-TO252-3
Effektförlust (max)
83W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
385 mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 340µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
790pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 28521 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPD60R385CPATMA1
IPD60R385CPATMA1 Elektroniska komponenter
IPD60R385CPATMA1 Försäljning
IPD60R385CPATMA1 Leverantör
IPD60R385CPATMA1 Distributör
IPD60R385CPATMA1 Datatabell
IPD60R385CPATMA1 Foton
IPD60R385CPATMA1 Pris
IPD60R385CPATMA1 Erbjudande
IPD60R385CPATMA1 Lägsta pris
IPD60R385CPATMA1 Sök
IPD60R385CPATMA1 Köp av
IPD60R385CPATMA1 Chip