IPD65R650CEAUMA1
MOSFET N-CH 650V 7A TO-252
Artikelnummer
IPD65R650CEAUMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
CoolMOS™ CE
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
PG-TO252-3
Effektförlust (max)
86W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
650 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 210µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
440pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 32841 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPD65R650CEAUMA1
IPD65R650CEAUMA1 Elektroniska komponenter
IPD65R650CEAUMA1 Försäljning
IPD65R650CEAUMA1 Leverantör
IPD65R650CEAUMA1 Distributör
IPD65R650CEAUMA1 Datatabell
IPD65R650CEAUMA1 Foton
IPD65R650CEAUMA1 Pris
IPD65R650CEAUMA1 Erbjudande
IPD65R650CEAUMA1 Lägsta pris
IPD65R650CEAUMA1 Sök
IPD65R650CEAUMA1 Köp av
IPD65R650CEAUMA1 Chip