IPI072N10N3GXKSA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
Artikelnummer
IPI072N10N3GXKSA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
PG-TO262-3
Effektförlust (max)
150W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
7.2 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 90µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
68nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4910pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 33143 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPI072N10N3GXKSA1
IPI072N10N3GXKSA1 Elektroniska komponenter
IPI072N10N3GXKSA1 Försäljning
IPI072N10N3GXKSA1 Leverantör
IPI072N10N3GXKSA1 Distributör
IPI072N10N3GXKSA1 Datatabell
IPI072N10N3GXKSA1 Foton
IPI072N10N3GXKSA1 Pris
IPI072N10N3GXKSA1 Erbjudande
IPI072N10N3GXKSA1 Lägsta pris
IPI072N10N3GXKSA1 Sök
IPI072N10N3GXKSA1 Köp av
IPI072N10N3GXKSA1 Chip