IPI111N15N3GAKSA1
MOSFET N-CH 150V 83A TO262-3
Artikelnummer
IPI111N15N3GAKSA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
PG-TO262-3
Effektförlust (max)
214W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
150V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
83A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
11.1 mOhm @ 83A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 160µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
55nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3230pF @ 75V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
8V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 27593 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPI111N15N3GAKSA1
IPI111N15N3GAKSA1 Elektroniska komponenter
IPI111N15N3GAKSA1 Försäljning
IPI111N15N3GAKSA1 Leverantör
IPI111N15N3GAKSA1 Distributör
IPI111N15N3GAKSA1 Datatabell
IPI111N15N3GAKSA1 Foton
IPI111N15N3GAKSA1 Pris
IPI111N15N3GAKSA1 Erbjudande
IPI111N15N3GAKSA1 Lägsta pris
IPI111N15N3GAKSA1 Sök
IPI111N15N3GAKSA1 Köp av
IPI111N15N3GAKSA1 Chip