IPL65R660E6AUMA1
MOSFET N-CH 4VSON
Artikelnummer
IPL65R660E6AUMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
CoolMOS™ E6
Sektionsstatus
Last Time Buy
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
4-PowerTSFN
Leverantörsenhetspaket
Thin-Pak (8x8)
Effektförlust (max)
63W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
660 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 200µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
440pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 15779 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPL65R660E6AUMA1
IPL65R660E6AUMA1 Elektroniska komponenter
IPL65R660E6AUMA1 Försäljning
IPL65R660E6AUMA1 Leverantör
IPL65R660E6AUMA1 Distributör
IPL65R660E6AUMA1 Datatabell
IPL65R660E6AUMA1 Foton
IPL65R660E6AUMA1 Pris
IPL65R660E6AUMA1 Erbjudande
IPL65R660E6AUMA1 Lägsta pris
IPL65R660E6AUMA1 Sök
IPL65R660E6AUMA1 Köp av
IPL65R660E6AUMA1 Chip