IPP048N12N3GXKSA1
MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
Artikelnummer
IPP048N12N3GXKSA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
PG-TO220-3-1
Effektförlust (max)
300W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
120V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.8 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 230µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
182nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
12000pF @ 60V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 28218 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPP048N12N3GXKSA1
IPP048N12N3GXKSA1 Elektroniska komponenter
IPP048N12N3GXKSA1 Försäljning
IPP048N12N3GXKSA1 Leverantör
IPP048N12N3GXKSA1 Distributör
IPP048N12N3GXKSA1 Datatabell
IPP048N12N3GXKSA1 Foton
IPP048N12N3GXKSA1 Pris
IPP048N12N3GXKSA1 Erbjudande
IPP048N12N3GXKSA1 Lägsta pris
IPP048N12N3GXKSA1 Sök
IPP048N12N3GXKSA1 Köp av
IPP048N12N3GXKSA1 Chip