Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IPP052N06L3GXKSA1

IPP052N06L3GXKSA1

MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Artikelnummer
IPP052N06L3GXKSA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
PG-TO-220-3
Effektförlust (max)
115W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
5 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 58µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
8400pF @ 30V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 18839 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IPP052N06L3GXKSA1
IPP052N06L3GXKSA1 Elektroniska komponenter
IPP052N06L3GXKSA1 Försäljning
IPP052N06L3GXKSA1 Leverantör
IPP052N06L3GXKSA1 Distributör
IPP052N06L3GXKSA1 Datatabell
IPP052N06L3GXKSA1 Foton
IPP052N06L3GXKSA1 Pris
IPP052N06L3GXKSA1 Erbjudande
IPP052N06L3GXKSA1 Lägsta pris
IPP052N06L3GXKSA1 Sök
IPP052N06L3GXKSA1 Köp av
IPP052N06L3GXKSA1 Chip