Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IPP083N10N5AKSA1

IPP083N10N5AKSA1

MOSFET N-CH TO220-3
Artikelnummer
IPP083N10N5AKSA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
PG-TO-220-3
Effektförlust (max)
100W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
73A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
8.3 mOhm @ 73A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 49µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
37nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2730pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 12231 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IPP083N10N5AKSA1
IPP083N10N5AKSA1 Elektroniska komponenter
IPP083N10N5AKSA1 Försäljning
IPP083N10N5AKSA1 Leverantör
IPP083N10N5AKSA1 Distributör
IPP083N10N5AKSA1 Datatabell
IPP083N10N5AKSA1 Foton
IPP083N10N5AKSA1 Pris
IPP083N10N5AKSA1 Erbjudande
IPP083N10N5AKSA1 Lägsta pris
IPP083N10N5AKSA1 Sök
IPP083N10N5AKSA1 Köp av
IPP083N10N5AKSA1 Chip