Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IPP093N06N3GXKSA1

IPP093N06N3GXKSA1

MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Artikelnummer
IPP093N06N3GXKSA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
PG-TO-220-3
Effektförlust (max)
71W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
9.3 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 34µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2900pF @ 30V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 6043 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IPP093N06N3GXKSA1
IPP093N06N3GXKSA1 Elektroniska komponenter
IPP093N06N3GXKSA1 Försäljning
IPP093N06N3GXKSA1 Leverantör
IPP093N06N3GXKSA1 Distributör
IPP093N06N3GXKSA1 Datatabell
IPP093N06N3GXKSA1 Foton
IPP093N06N3GXKSA1 Pris
IPP093N06N3GXKSA1 Erbjudande
IPP093N06N3GXKSA1 Lägsta pris
IPP093N06N3GXKSA1 Sök
IPP093N06N3GXKSA1 Köp av
IPP093N06N3GXKSA1 Chip