IPP126N10N3GXKSA1
MOSFET N-CH 100V 58A TO220-3
Artikelnummer
IPP126N10N3GXKSA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
PG-TO-220-3
Effektförlust (max)
94W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
12.3 mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 46µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2500pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 47399 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPP126N10N3GXKSA1
IPP126N10N3GXKSA1 Elektroniska komponenter
IPP126N10N3GXKSA1 Försäljning
IPP126N10N3GXKSA1 Leverantör
IPP126N10N3GXKSA1 Distributör
IPP126N10N3GXKSA1 Datatabell
IPP126N10N3GXKSA1 Foton
IPP126N10N3GXKSA1 Pris
IPP126N10N3GXKSA1 Erbjudande
IPP126N10N3GXKSA1 Lägsta pris
IPP126N10N3GXKSA1 Sök
IPP126N10N3GXKSA1 Köp av
IPP126N10N3GXKSA1 Chip