köpa Infineon Technologies IPS65R1K4C6AKMA1 MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-251

Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.

Visa mer info Datablad

IPS65R1K4C6AKMA1

MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-251

Artikelnummer

IPS65R1K4C6AKMA1

Tillverkare/varumärke

Infineon Technologies

Serier

CoolMOS™

Sektionsstatus

Active

Förpackning

Tube

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstyp

Through Hole

Paket/fodral

TO-251-3 Stub Leads, IPak

Leverantörsenhetspaket

PG-TO251-3

Effektförlust (max)

28W (Tc)

FET typ

N-Channel

FET-funktioner

Dränera till spänningskälla (Vdss)

650V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

3.2A (Tc)

Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs

1.4 Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 100µA

Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs

10.5nC @ 10V

Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

225pF @ 100V

Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)

10V

Vgs (max)

±20V

Begäran om begäran

Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.

I lager 42091 PCS

Kontaktinformation

Relaterade produkter

IPS6-04-01-L

PESS SUB-IPS6 ASSEMBLY

Samtec Inc.

IPS6041GPBF

INTELLIGENT PWR SW 1CH 8SOIC

Infineon Technologies

IPS6041GTRPBF

IC IPS SW HI SIDE DVR 1CH 8SOIC

Infineon Technologies

IPS6041PBF

IC SWITCH IPS HI SIDE TO-220-5

Infineon Technologies