köpa Infineon Technologies IPS70R1K4P7SAKMA1 MOSFET N-CHANNEL 700V 4A TO251

Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.

Visa mer info Datablad

IPS70R1K4P7SAKMA1

MOSFET N-CHANNEL 700V 4A TO251

Artikelnummer

IPS70R1K4P7SAKMA1

Tillverkare/varumärke

Infineon Technologies

Serier

CoolMOS™ P7

Sektionsstatus

Active

Förpackning

Tube

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Driftstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstyp

Through Hole

Paket/fodral

TO-251-3 Stub Leads, IPak

Leverantörsenhetspaket

PG-TO251

Effektförlust (max)

22.7W (Tc)

FET typ

N-Channel

FET-funktioner

Dränera till spänningskälla (Vdss)

700V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

4A (Tc)

Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs

1.4 Ohm @ 700mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 40µA

Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs

4.7nC @ 10V

Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

158pF @ 400V

Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)

10V

Vgs (max)

±16V

Begäran om begäran

Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.

I lager 15920 PCS

Kontaktinformation

Relaterade produkter

IPS7071GPBF

IC IPS SW HI SIDE DVR 1CH 8-SOIC

Infineon Technologies

IPS7071GPBF

IC IPS SW HI SIDE DVR 1CH 8-SOIC

Infineon Technologies

IPS7071GPBF

IC IPS SW HI SIDE DVR 1CH 8-SOIC

Infineon Technologies

IPS7071GTRPBF