IPS70R950CEAKMA1
MOSFET NCH 700V 7.4A TO251
Artikelnummer
IPS70R950CEAKMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
CoolMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Leverantörsenhetspaket
PG-TO251
Effektförlust (max)
68W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
Super Junction
Dränera till spänningskälla (Vdss)
700V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7.4A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
950 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 150µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
15.3nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
328pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 8931 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPS70R950CEAKMA1
IPS70R950CEAKMA1 Elektroniska komponenter
IPS70R950CEAKMA1 Försäljning
IPS70R950CEAKMA1 Leverantör
IPS70R950CEAKMA1 Distributör
IPS70R950CEAKMA1 Datatabell
IPS70R950CEAKMA1 Foton
IPS70R950CEAKMA1 Pris
IPS70R950CEAKMA1 Erbjudande
IPS70R950CEAKMA1 Lägsta pris
IPS70R950CEAKMA1 Sök
IPS70R950CEAKMA1 Köp av
IPS70R950CEAKMA1 Chip