IPT65R105G7XTMA1
HIGH POWER_NEW
Artikelnummer
IPT65R105G7XTMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
CoolMOS™ C7
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerSFN
Leverantörsenhetspaket
PG-HSOF-8-2
Effektförlust (max)
156W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
105 mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 440µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1670pF @ 400V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 11360 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPT65R105G7XTMA1
IPT65R105G7XTMA1 Elektroniska komponenter
IPT65R105G7XTMA1 Försäljning
IPT65R105G7XTMA1 Leverantör
IPT65R105G7XTMA1 Distributör
IPT65R105G7XTMA1 Datatabell
IPT65R105G7XTMA1 Foton
IPT65R105G7XTMA1 Pris
IPT65R105G7XTMA1 Erbjudande
IPT65R105G7XTMA1 Lägsta pris
IPT65R105G7XTMA1 Sök
IPT65R105G7XTMA1 Köp av
IPT65R105G7XTMA1 Chip