IRF1010EZSTRLP
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Artikelnummer
IRF1010EZSTRLP
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
140W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
8.5 mOhm @ 51A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
86nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2810pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 10633 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF1010EZSTRLP
IRF1010EZSTRLP Elektroniska komponenter
IRF1010EZSTRLP Försäljning
IRF1010EZSTRLP Leverantör
IRF1010EZSTRLP Distributör
IRF1010EZSTRLP Datatabell
IRF1010EZSTRLP Foton
IRF1010EZSTRLP Pris
IRF1010EZSTRLP Erbjudande
IRF1010EZSTRLP Lägsta pris
IRF1010EZSTRLP Sök
IRF1010EZSTRLP Köp av
IRF1010EZSTRLP Chip