IRF1010NLPBF
MOSFET N-CH 55V 85A TO-262
Artikelnummer
IRF1010NLPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
TO-262
Effektförlust (max)
180W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
55V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
85A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
11 mOhm @ 43A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3210pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 51357 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF1010NLPBF
IRF1010NLPBF Elektroniska komponenter
IRF1010NLPBF Försäljning
IRF1010NLPBF Leverantör
IRF1010NLPBF Distributör
IRF1010NLPBF Datatabell
IRF1010NLPBF Foton
IRF1010NLPBF Pris
IRF1010NLPBF Erbjudande
IRF1010NLPBF Lägsta pris
IRF1010NLPBF Sök
IRF1010NLPBF Köp av
IRF1010NLPBF Chip