IRF1010NSTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
Artikelnummer
IRF1010NSTRLPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
180W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
55V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
85A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
11 mOhm @ 43A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3210pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 5679 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF1010NSTRLPBF
IRF1010NSTRLPBF Elektroniska komponenter
IRF1010NSTRLPBF Försäljning
IRF1010NSTRLPBF Leverantör
IRF1010NSTRLPBF Distributör
IRF1010NSTRLPBF Datatabell
IRF1010NSTRLPBF Foton
IRF1010NSTRLPBF Pris
IRF1010NSTRLPBF Erbjudande
IRF1010NSTRLPBF Lägsta pris
IRF1010NSTRLPBF Sök
IRF1010NSTRLPBF Köp av
IRF1010NSTRLPBF Chip