IRF1607PBF
MOSFET N-CH 75V 142A TO-220AB
Artikelnummer
IRF1607PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
380W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
75V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
142A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
7.5 mOhm @ 85A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
320nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7750pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 11480 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF1607PBF
IRF1607PBF Elektroniska komponenter
IRF1607PBF Försäljning
IRF1607PBF Leverantör
IRF1607PBF Distributör
IRF1607PBF Datatabell
IRF1607PBF Foton
IRF1607PBF Pris
IRF1607PBF Erbjudande
IRF1607PBF Lägsta pris
IRF1607PBF Sök
IRF1607PBF Köp av
IRF1607PBF Chip