Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IRF2805STRRPBF

IRF2805STRRPBF

MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK
Artikelnummer
IRF2805STRRPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
200W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
55V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
135A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.7 mOhm @ 104A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
230nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5110pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 17136 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IRF2805STRRPBF
IRF2805STRRPBF Elektroniska komponenter
IRF2805STRRPBF Försäljning
IRF2805STRRPBF Leverantör
IRF2805STRRPBF Distributör
IRF2805STRRPBF Datatabell
IRF2805STRRPBF Foton
IRF2805STRRPBF Pris
IRF2805STRRPBF Erbjudande
IRF2805STRRPBF Lägsta pris
IRF2805STRRPBF Sök
IRF2805STRRPBF Köp av
IRF2805STRRPBF Chip