IRF3708S
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
Artikelnummer
IRF3708S
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
87W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
62A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
12 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2417pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.8V, 10V
Vgs (max)
±12V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 51610 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF3708S
IRF3708S Elektroniska komponenter
IRF3708S Försäljning
IRF3708S Leverantör
IRF3708S Distributör
IRF3708S Datatabell
IRF3708S Foton
IRF3708S Pris
IRF3708S Erbjudande
IRF3708S Lägsta pris
IRF3708S Sök
IRF3708S Köp av
IRF3708S Chip