IRF3709PBF
MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB
Artikelnummer
IRF3709PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
3.1W (Ta), 120W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
9 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
41nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2672pF @ 16V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 19715 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF3709PBF
IRF3709PBF Elektroniska komponenter
IRF3709PBF Försäljning
IRF3709PBF Leverantör
IRF3709PBF Distributör
IRF3709PBF Datatabell
IRF3709PBF Foton
IRF3709PBF Pris
IRF3709PBF Erbjudande
IRF3709PBF Lägsta pris
IRF3709PBF Sök
IRF3709PBF Köp av
IRF3709PBF Chip