IRF3709SPBF
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
Artikelnummer
IRF3709SPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Not For New Designs
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
3.1W (Ta), 120W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
9 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
41nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2672pF @ 16V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 30993 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF3709SPBF
IRF3709SPBF Elektroniska komponenter
IRF3709SPBF Försäljning
IRF3709SPBF Leverantör
IRF3709SPBF Distributör
IRF3709SPBF Datatabell
IRF3709SPBF Foton
IRF3709SPBF Pris
IRF3709SPBF Erbjudande
IRF3709SPBF Lägsta pris
IRF3709SPBF Sök
IRF3709SPBF Köp av
IRF3709SPBF Chip