IRF3710PBF
MOSFET N-CH 100V 57A TO-220AB
Artikelnummer
IRF3710PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
200W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
57A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
23 mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
130nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3130pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 41628 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF3710PBF
IRF3710PBF Elektroniska komponenter
IRF3710PBF Försäljning
IRF3710PBF Leverantör
IRF3710PBF Distributör
IRF3710PBF Datatabell
IRF3710PBF Foton
IRF3710PBF Pris
IRF3710PBF Erbjudande
IRF3710PBF Lägsta pris
IRF3710PBF Sök
IRF3710PBF Köp av
IRF3710PBF Chip