IRF3710ZPBF
MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB
Artikelnummer
IRF3710ZPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
160W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
59A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
18 mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2900pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 49457 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF3710ZPBF
IRF3710ZPBF Elektroniska komponenter
IRF3710ZPBF Försäljning
IRF3710ZPBF Leverantör
IRF3710ZPBF Distributör
IRF3710ZPBF Datatabell
IRF3710ZPBF Foton
IRF3710ZPBF Pris
IRF3710ZPBF Erbjudande
IRF3710ZPBF Lägsta pris
IRF3710ZPBF Sök
IRF3710ZPBF Köp av
IRF3710ZPBF Chip