IRF3710ZSTRRPBF
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Artikelnummer
IRF3710ZSTRRPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
160W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
59A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
18 mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2900pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 39481 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF3710ZSTRRPBF
IRF3710ZSTRRPBF Elektroniska komponenter
IRF3710ZSTRRPBF Försäljning
IRF3710ZSTRRPBF Leverantör
IRF3710ZSTRRPBF Distributör
IRF3710ZSTRRPBF Datatabell
IRF3710ZSTRRPBF Foton
IRF3710ZSTRRPBF Pris
IRF3710ZSTRRPBF Erbjudande
IRF3710ZSTRRPBF Lägsta pris
IRF3710ZSTRRPBF Sök
IRF3710ZSTRRPBF Köp av
IRF3710ZSTRRPBF Chip