IRF520NPBF
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB
Artikelnummer
IRF520NPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
48W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9.7A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
200 mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
330pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 22779 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF520NPBF
IRF520NPBF Elektroniska komponenter
IRF520NPBF Försäljning
IRF520NPBF Leverantör
IRF520NPBF Distributör
IRF520NPBF Datatabell
IRF520NPBF Foton
IRF520NPBF Pris
IRF520NPBF Erbjudande
IRF520NPBF Lägsta pris
IRF520NPBF Sök
IRF520NPBF Köp av
IRF520NPBF Chip