IRF5305PBF
MOSFET P-CH 55V 31A TO-220AB
Artikelnummer
IRF5305PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
110W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
55V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
63nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 25308 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF5305PBF
IRF5305PBF Elektroniska komponenter
IRF5305PBF Försäljning
IRF5305PBF Leverantör
IRF5305PBF Distributör
IRF5305PBF Datatabell
IRF5305PBF Foton
IRF5305PBF Pris
IRF5305PBF Erbjudande
IRF5305PBF Lägsta pris
IRF5305PBF Sök
IRF5305PBF Köp av
IRF5305PBF Chip