IRF5803D2PBF
MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
Artikelnummer
IRF5803D2PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
FETKY™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SO
Effektförlust (max)
2W (Ta)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
Schottky Diode (Isolated)
Dränera till spänningskälla (Vdss)
40V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.4A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
112 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
37nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1110pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 12563 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF5803D2PBF
IRF5803D2PBF Elektroniska komponenter
IRF5803D2PBF Försäljning
IRF5803D2PBF Leverantör
IRF5803D2PBF Distributör
IRF5803D2PBF Datatabell
IRF5803D2PBF Foton
IRF5803D2PBF Pris
IRF5803D2PBF Erbjudande
IRF5803D2PBF Lägsta pris
IRF5803D2PBF Sök
IRF5803D2PBF Köp av
IRF5803D2PBF Chip