IRF630NPBF
MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB
Artikelnummer
IRF630NPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
82W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9.3A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
300 mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
575pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 37692 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF630NPBF
IRF630NPBF Elektroniska komponenter
IRF630NPBF Försäljning
IRF630NPBF Leverantör
IRF630NPBF Distributör
IRF630NPBF Datatabell
IRF630NPBF Foton
IRF630NPBF Pris
IRF630NPBF Erbjudande
IRF630NPBF Lägsta pris
IRF630NPBF Sök
IRF630NPBF Köp av
IRF630NPBF Chip