IRF640NLPBF
MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
Artikelnummer
IRF640NLPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
TO-262
Effektförlust (max)
150W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
150 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
67nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1160pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 12641 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF640NLPBF
IRF640NLPBF Elektroniska komponenter
IRF640NLPBF Försäljning
IRF640NLPBF Leverantör
IRF640NLPBF Distributör
IRF640NLPBF Datatabell
IRF640NLPBF Foton
IRF640NLPBF Pris
IRF640NLPBF Erbjudande
IRF640NLPBF Lägsta pris
IRF640NLPBF Sök
IRF640NLPBF Köp av
IRF640NLPBF Chip