IRF6619TR1
MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
Artikelnummer
IRF6619TR1
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
DirectFET™ Isometric MX
Leverantörsenhetspaket
DIRECTFET™ MX
Effektförlust (max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30A (Ta), 150A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.45V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
57nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5040pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 28166 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF6619TR1
IRF6619TR1 Elektroniska komponenter
IRF6619TR1 Försäljning
IRF6619TR1 Leverantör
IRF6619TR1 Distributör
IRF6619TR1 Datatabell
IRF6619TR1 Foton
IRF6619TR1 Pris
IRF6619TR1 Erbjudande
IRF6619TR1 Lägsta pris
IRF6619TR1 Sök
IRF6619TR1 Köp av
IRF6619TR1 Chip