IRF6621TRPBF
MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
Artikelnummer
IRF6621TRPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
DirectFET™ Isometric SQ
Leverantörsenhetspaket
DIRECTFET™ SQ
Effektförlust (max)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Ta), 55A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
9.1 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
17.5nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1460pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 45030 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF6621TRPBF
IRF6621TRPBF Elektroniska komponenter
IRF6621TRPBF Försäljning
IRF6621TRPBF Leverantör
IRF6621TRPBF Distributör
IRF6621TRPBF Datatabell
IRF6621TRPBF Foton
IRF6621TRPBF Pris
IRF6621TRPBF Erbjudande
IRF6621TRPBF Lägsta pris
IRF6621TRPBF Sök
IRF6621TRPBF Köp av
IRF6621TRPBF Chip