IRF6633TR1PBF
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
Artikelnummer
IRF6633TR1PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
DirectFET™ Isometric MP
Leverantörsenhetspaket
DIRECTFET™ MP
Effektförlust (max)
2.3W (Ta), 89W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
16A (Ta), 59A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
5.6 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1250pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 50081 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF6633TR1PBF
IRF6633TR1PBF Elektroniska komponenter
IRF6633TR1PBF Försäljning
IRF6633TR1PBF Leverantör
IRF6633TR1PBF Distributör
IRF6633TR1PBF Datatabell
IRF6633TR1PBF Foton
IRF6633TR1PBF Pris
IRF6633TR1PBF Erbjudande
IRF6633TR1PBF Lägsta pris
IRF6633TR1PBF Sök
IRF6633TR1PBF Köp av
IRF6633TR1PBF Chip