IRF6636TRPBF
MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
Artikelnummer
IRF6636TRPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
DirectFET™ Isometric ST
Leverantörsenhetspaket
DIRECTFET™ ST
Effektförlust (max)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
18A (Ta), 81A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.5 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.45V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2420pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 31849 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF6636TRPBF
IRF6636TRPBF Elektroniska komponenter
IRF6636TRPBF Försäljning
IRF6636TRPBF Leverantör
IRF6636TRPBF Distributör
IRF6636TRPBF Datatabell
IRF6636TRPBF Foton
IRF6636TRPBF Pris
IRF6636TRPBF Erbjudande
IRF6636TRPBF Lägsta pris
IRF6636TRPBF Sök
IRF6636TRPBF Köp av
IRF6636TRPBF Chip