IRF6645TRPBF
MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
Artikelnummer
IRF6645TRPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
DirectFET™ Isometric SJ
Leverantörsenhetspaket
DIRECTFET™ SJ
Effektförlust (max)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.7A (Ta), 25A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
35 mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 50µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
890pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 38086 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF6645TRPBF
IRF6645TRPBF Elektroniska komponenter
IRF6645TRPBF Försäljning
IRF6645TRPBF Leverantör
IRF6645TRPBF Distributör
IRF6645TRPBF Datatabell
IRF6645TRPBF Foton
IRF6645TRPBF Pris
IRF6645TRPBF Erbjudande
IRF6645TRPBF Lägsta pris
IRF6645TRPBF Sök
IRF6645TRPBF Köp av
IRF6645TRPBF Chip