IRF6662TRPBF
MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
Artikelnummer
IRF6662TRPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
DirectFET™ Isometric MZ
Leverantörsenhetspaket
DIRECTFET™ MZ
Effektförlust (max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8.3A (Ta), 47A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
22 mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 100µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1360pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 23780 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF6662TRPBF
IRF6662TRPBF Elektroniska komponenter
IRF6662TRPBF Försäljning
IRF6662TRPBF Leverantör
IRF6662TRPBF Distributör
IRF6662TRPBF Datatabell
IRF6662TRPBF Foton
IRF6662TRPBF Pris
IRF6662TRPBF Erbjudande
IRF6662TRPBF Lägsta pris
IRF6662TRPBF Sök
IRF6662TRPBF Köp av
IRF6662TRPBF Chip