IRF6665TR1PBF
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
Artikelnummer
IRF6665TR1PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
DirectFET™ Isometric SH
Leverantörsenhetspaket
DIRECTFET™ SH
Effektförlust (max)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.2A (Ta), 19A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
62 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
530pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 24530 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF6665TR1PBF
IRF6665TR1PBF Elektroniska komponenter
IRF6665TR1PBF Försäljning
IRF6665TR1PBF Leverantör
IRF6665TR1PBF Distributör
IRF6665TR1PBF Datatabell
IRF6665TR1PBF Foton
IRF6665TR1PBF Pris
IRF6665TR1PBF Erbjudande
IRF6665TR1PBF Lägsta pris
IRF6665TR1PBF Sök
IRF6665TR1PBF Köp av
IRF6665TR1PBF Chip