IRF6810STRPBF
MOSFET N CH 25V 16A S1
Artikelnummer
IRF6810STRPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
DirectFET™ Isometric S1
Leverantörsenhetspaket
DIRECTFET S1
Effektförlust (max)
2.1W (Ta), 20W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
25V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
16A (Ta), 50A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
5.2 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 25µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1038pF @ 13V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±16V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 44140 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF6810STRPBF
IRF6810STRPBF Elektroniska komponenter
IRF6810STRPBF Försäljning
IRF6810STRPBF Leverantör
IRF6810STRPBF Distributör
IRF6810STRPBF Datatabell
IRF6810STRPBF Foton
IRF6810STRPBF Pris
IRF6810STRPBF Erbjudande
IRF6810STRPBF Lägsta pris
IRF6810STRPBF Sök
IRF6810STRPBF Köp av
IRF6810STRPBF Chip