IRF6811STRPBF
MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET
Artikelnummer
IRF6811STRPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
DirectFET™ Isometric SQ
Leverantörsenhetspaket
DIRECTFET™ SQ
Effektförlust (max)
2.1W (Ta), 32W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
25V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
19A (Ta), 74A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3.7 mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 35µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1590pF @ 13V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±16V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 40143 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF6811STRPBF
IRF6811STRPBF Elektroniska komponenter
IRF6811STRPBF Försäljning
IRF6811STRPBF Leverantör
IRF6811STRPBF Distributör
IRF6811STRPBF Datatabell
IRF6811STRPBF Foton
IRF6811STRPBF Pris
IRF6811STRPBF Erbjudande
IRF6811STRPBF Lägsta pris
IRF6811STRPBF Sök
IRF6811STRPBF Köp av
IRF6811STRPBF Chip