IRF6892STRPBF
MOSFET N CH 25V 28A S3
Artikelnummer
IRF6892STRPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
DirectFET™ Isometric S3C
Leverantörsenhetspaket
DIRECTFET™ S3C
Effektförlust (max)
2.1W (Ta), 42W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
25V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
28A (Ta), 125A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.7 mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 50µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2510pF @ 13V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±16V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 10153 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF6892STRPBF
IRF6892STRPBF Elektroniska komponenter
IRF6892STRPBF Försäljning
IRF6892STRPBF Leverantör
IRF6892STRPBF Distributör
IRF6892STRPBF Datatabell
IRF6892STRPBF Foton
IRF6892STRPBF Pris
IRF6892STRPBF Erbjudande
IRF6892STRPBF Lägsta pris
IRF6892STRPBF Sök
IRF6892STRPBF Köp av
IRF6892STRPBF Chip