IRF6893MTR1PBF
MOSFET N-CH 25V 29A MX
Artikelnummer
IRF6893MTR1PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
DirectFET™ Isometric MX
Leverantörsenhetspaket
DIRECTFET™ MX
Effektförlust (max)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
25V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
29A (Ta), 168A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.6 mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 100µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3480pF @ 13V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±16V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 6057 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF6893MTR1PBF
IRF6893MTR1PBF Elektroniska komponenter
IRF6893MTR1PBF Försäljning
IRF6893MTR1PBF Leverantör
IRF6893MTR1PBF Distributör
IRF6893MTR1PBF Datatabell
IRF6893MTR1PBF Foton
IRF6893MTR1PBF Pris
IRF6893MTR1PBF Erbjudande
IRF6893MTR1PBF Lägsta pris
IRF6893MTR1PBF Sök
IRF6893MTR1PBF Köp av
IRF6893MTR1PBF Chip