IRF7401PBF
MOSFET N-CH 20V 8.7A 8-SOIC
Artikelnummer
IRF7401PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Not For New Designs
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SO
Effektförlust (max)
2.5W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8.7A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
22 mOhm @ 4.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
48nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1600pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.7V, 4.5V
Vgs (max)
±12V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 34491 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF7401PBF
IRF7401PBF Elektroniska komponenter
IRF7401PBF Försäljning
IRF7401PBF Leverantör
IRF7401PBF Distributör
IRF7401PBF Datatabell
IRF7401PBF Foton
IRF7401PBF Pris
IRF7401PBF Erbjudande
IRF7401PBF Lägsta pris
IRF7401PBF Sök
IRF7401PBF Köp av
IRF7401PBF Chip