IRF7450PBF
MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC
Artikelnummer
IRF7450PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Not For New Designs
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SO
Effektförlust (max)
2.5W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
170 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
39nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
940pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 12182 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF7450PBF
IRF7450PBF Elektroniska komponenter
IRF7450PBF Försäljning
IRF7450PBF Leverantör
IRF7450PBF Distributör
IRF7450PBF Datatabell
IRF7450PBF Foton
IRF7450PBF Pris
IRF7450PBF Erbjudande
IRF7450PBF Lägsta pris
IRF7450PBF Sök
IRF7450PBF Köp av
IRF7450PBF Chip