IRF7465TRPBF
MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-SOIC
Artikelnummer
IRF7465TRPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SO
Effektförlust (max)
2.5W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
150V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.9A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
280 mOhm @ 1.14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
330pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 22668 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF7465TRPBF
IRF7465TRPBF Elektroniska komponenter
IRF7465TRPBF Försäljning
IRF7465TRPBF Leverantör
IRF7465TRPBF Distributör
IRF7465TRPBF Datatabell
IRF7465TRPBF Foton
IRF7465TRPBF Pris
IRF7465TRPBF Erbjudande
IRF7465TRPBF Lägsta pris
IRF7465TRPBF Sök
IRF7465TRPBF Köp av
IRF7465TRPBF Chip