IRF7467PBF
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Artikelnummer
IRF7467PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SO
Effektförlust (max)
2.5W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
12 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2530pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.8V, 10V
Vgs (max)
±12V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 27071 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF7467PBF
IRF7467PBF Elektroniska komponenter
IRF7467PBF Försäljning
IRF7467PBF Leverantör
IRF7467PBF Distributör
IRF7467PBF Datatabell
IRF7467PBF Foton
IRF7467PBF Pris
IRF7467PBF Erbjudande
IRF7467PBF Lägsta pris
IRF7467PBF Sök
IRF7467PBF Köp av
IRF7467PBF Chip