IRF7807APBF
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
Artikelnummer
IRF7807APBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SO
Effektförlust (max)
2.5W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8.3A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V
Vgs (max)
±12V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 29135 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF7807APBF
IRF7807APBF Elektroniska komponenter
IRF7807APBF Försäljning
IRF7807APBF Leverantör
IRF7807APBF Distributör
IRF7807APBF Datatabell
IRF7807APBF Foton
IRF7807APBF Pris
IRF7807APBF Erbjudande
IRF7807APBF Lägsta pris
IRF7807APBF Sök
IRF7807APBF Köp av
IRF7807APBF Chip