IRF7807VTRPBF
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
Artikelnummer
IRF7807VTRPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SO
Effektförlust (max)
2.5W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8.3A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 26649 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF7807VTRPBF
IRF7807VTRPBF Elektroniska komponenter
IRF7807VTRPBF Försäljning
IRF7807VTRPBF Leverantör
IRF7807VTRPBF Distributör
IRF7807VTRPBF Datatabell
IRF7807VTRPBF Foton
IRF7807VTRPBF Pris
IRF7807VTRPBF Erbjudande
IRF7807VTRPBF Lägsta pris
IRF7807VTRPBF Sök
IRF7807VTRPBF Köp av
IRF7807VTRPBF Chip